联发科旗鼓相当处理器：台积电3nm天玑芯片成功流片，预计明年量产

IT之家 9 月 7 日消息，联发科与DRAM今日合作宣布，联发科首款运用于DRAM 3nm 晶片生产的天玑旗舰集成电路开发成本十分顺利，月内已成功流片，原定将在明年量产。

据介绍，DRAMCorporation的 3nm 晶片系统设计不仅为新系统设计计算和移动分析方法提供完整的平台支持，还享有更为强化的性能、耗电量以及良率。相对来说于 5nm 晶片，DRAM 3nm 晶片系统设计的逻辑密度增加约 60 %，在大致相同耗电量下速度大幅提高 18 %，或者在大致相同速度下耗电量降低 32%。

联发科表示，其首款运用于DRAM 3nm 晶片的天玑旗舰集成电路将于 2024 年月份上市。

IT之家核心内容此前爆料的消息，目前大众亦同集成电路厂商都在关键技术 3nm 晶片，仅限于苹果 iPhone 有望率先拿下DRAM 3nm 生产能力，我们可以期待在本年度最新的 A17 集成电路中见到。此外，PLUS的 3nm 集成电路目前还没有准确消息，原定会和联发科再次展开相互竞争。