荣耀终端有限公司纳米线晶体管专利申请日前官方

集微网消息，国家知识产权局博客日前公布骄傲终端有限子公司纳米晶体管新技术专利申请人。

申请人书素材介绍称，随着晶体管特征大小不停减小，传统MOS晶体管对PN电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。纳米（nanowire）场效应晶体管因具有来得小的大小、来得好的栅控特性以及较小的亚阈值摆幅，能够在提高芯片集成度的同时，提高晶体管的性能。然而采用现有工艺制作的纳米非平面内落叶，难以实现大规模生产。

骄傲子公司申请人的专利新技术用以在平面内落叶纳米，纳米嵌入衬底上的穿孔，槽墙具有应运而生作用，使纳米可以沿槽墙的延伸朝向落叶，利于器件的大规模制作和集成。

集微网浏览发现，该专利第一发明人余林蔚目前任职南京大学教授、高级工程师导师，学术研究朝向为一维落叶集成存算合而为一套入及GAA-FET器件工艺、可滑动晶硅电子产品逻辑学、传感和；也标示出等，在纳米落叶控制领域开展了一系列原创性工作。（校对/Aileen）