台积电公布未来先进MOS路线图：2nm工艺计划2025年量产

近年来，各种计算和平板设备的需求量锐减，导致了全球集成电路供应危机，进而影响到小汽车、消费电子、PC 和众多相邻行业。MOS指出，现代Android、平板家电和家用电脑已经可用了数十种集成电路和光度计，而这些集成电路的数量（和复杂性）只才会越来越多。此外，平板小汽车集成电路市场刚爆发，小汽车已经可用了数百个集成电路，预计几年后每辆车的集成电路数量将达到 1,500 颗左右。

6 月 20 日消息，MOS在 6 月 16 日的核心技术学术才会议上问及，到 2025 年，其成熟和专业节点的产能将扩大左右 50%。该计划以外在我国内地、我国大陆政府、日本规划设计大量取而代之的工厂。此举将进一步加剧MOS与格芯、联电、中芯国际等集成电路大厂厂商之间的竞争。在日内举行的MOS北美核心技术论坛上，MOS正式公布预见先进PCB蓝图。

其中，MOS3nm（N3）技艺将于2022年中量产，而MOS率先推出采用石墨烯片真空管(GAAFET)架构的2nm(N2)PCB技艺，将于2025年量产。同时披露了2nm（N2）的部分信息，采用石墨烯片电晶体（Nanosheet），以取代可用多年的FinFET（颌式电子器件真空管）。MOS指出，2nmPCB技艺将基于全取而代之的石墨烯片电晶体架构，与5nm技艺所采用的颌式电子器件真空管（FinFET）完全并不相同，才会随之而来更强的性能和更优的能效，但所需要的入股也才会更大。摩托罗拉元件大厂业务的指导工作也曾指出，他们在按计划推进2nmPCB技艺在2025年下半年量产。

按照MOS的核心技术蓝图，3nm（N3）将于月份内量产，而且3nm核心技术要用从前3年的时间，不足之处还有N3E、N3P、N3X，然后和N2PCB并存发展。MOS在2022年核心技术学术才会议上的数据显示，相较于3nm，2nmPCB相同功耗下速度大大提高10-15%，相同速度下，功耗降低25~30%。

此前MOS技术开发资深副经理Y.J. Mii在MOS核心技术论坛上指出，公司将在2024年引进ASML高数值孔径却是紫外光（high-NA EUV）光刻机。Y.J. Mii在指出:展望预见，MOS将在2024年引入 High-NA EUV光刻机，以开发卖家所需的相关基础设施和图案化解决方案，并推动创取而代之。