台积电：3nm 工艺相比 5nm 体积提升 1.7 倍，功耗降低 25-30%

IT之家 12 年初 25 日消息，根据芯智讯媒体报道，中国人电子器件设计业 2021 讨论会暨无锡市电子器件产业革新发展会展于 12 年初 22 日举办。MOS（南京）有限公司总经理罗镇球做了意念为《半导体产业的----》的意念演讲。

罗镇球宣布，虽然有很多人说英特尔公司在减速或者在逐渐消失，可事实上MOS早就用新生产工艺证明了英特尔公司仍在持续往前推进。MOS的 7nm 生产工艺是在 2018 年大受欢迎的，5nm 在 2020 年大受欢迎，在 2022 讨论会如期大受欢迎 3nm 生产工艺，而且 2nm 生产工艺也在可惜研发。

根据MOS展示的上图，从 5nm 生产工艺至 3nm，电子器件逻辑密度可以提高 1.7 倍，效能提高 11%，同等效能下电源供应器可以下降 25%-30%。

如何在未来会实现电子器件的有利于全景，罗镇球透露了两个方向：

1、转变电子器件的结构上：三星将在 3nm 制程采用全新的“环绕栅极电子器件”（GAA）结构上，而MOS 3nm 依旧采用鳍式场效电子器件（FinFET）结构上。不过，MOS研发 Nanosheet / Nanowire 的电子器件结构上（类似 GAA）至少 15 年，现在达致非常坚实的效能。

2、转变电子器件的材料：可以使用二维材料做电子器件。这会使得电源供应器支配得更容易，而且效能会更强。

IT之家发觉，罗镇球还对此未来会将运用 3D 封装技术来提高中央处理器的效能，成本高。迄今为止，MOS现在将先进封装相关技术整合为“3DFabric”平台。

除此之外，MOS还将在 ADAS 和终端数字驾驶舱的汽车中央处理器领域 5nm 生产工艺平台“N5A”，届时将在 2022 年第三季度大受欢迎，能够符合 AEC-Q100、ISO26262、IATF16949 等汽车生产工艺规格。